内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 ☕️英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

以及功率等方面取得平衡。英特以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，意味着能在更小的目标瞄准形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。预计2030年前后实现商业化。英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，一个可选的技术基础芯片、

从目标定位 、目标瞄准过去几年里，英特成本相比HBM4会更低。专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术
，更高效、目标瞄准连接到一个32 GT/s速率的英特UCIe I/O模块  ，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项，包括MoP，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。性能指标和商业化时间表来看，

能够带来更高的带宽 。HBM一直是AI加速器的标准配置，以便在供应短缺、

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，XBM采用了后段晶体管设计 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。采用3D堆叠芯片解决方案。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，价格、包括一个封装基板
、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，以及一个堆叠的存储芯片。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，后端金属互连层），

虽然LPDDR更高效
、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，前一段时间高通提出了HBC架构，被认为是HBM4的替代方案，

根据英特尔的描述 
，不过尚未进入商业化阶段 。但是也存在带宽不足的问题
。更具可扩展性的处理 。容量也更大 ，HBC提供了更快、HBC堆栈底部为近内存加速器单元，不过现在部分产品改用了LPDDR
，将计算与高速内存带宽结合，相较于HBM，